Моделирование микро и наноразмерных приборов твердотельной электроники  к.ф-м.н, доцент кафедры ФЭТ Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета «ЛЭТИ» Семинар проходит по четвергам в 21_30. Принять участие в работе семинара и форума приглашаются: студенты, аспиранты, молодые ученые и специалисты в данной области. |
Online Seminar >
Темы семинара
Семинар 34. Компьютерные технологии 2019
Иметь гарнитуру или наушники, для исключения шума. При переводе в активную группу категорически запрещается иметь включенным сайт трансляции голоса. Начало семинара в 20_00 по Москве. Требуется быть в сети в 19_30. Все участники должны быть зарегистрированы в skype за день до начало семинара. ВНИМАНИЕ! ССЫЛКА для открытого просмотра по трубе будет тут: https://www.youtube.com/watch?v=7Wre3IZLkFM Трансляция только звука Завершился 34-й ежегодный интернет-семинар "Моделирование микро и наноразмерных приборов твердотельной электроники". В этом году непосредственно в участии в интернет семинаре приняло участи 539 человек. Еще более 1600 слушали интернет-семинар через трансляцию на нашем канале на youtube. Таким образом, общее число участников интернет-семинара превысило 2000 человек.Ниже приведен график роста числа участников интернет-семинара.
Приглашенный доклад Малошумящий оптоэлектронный генератор СВЧ-сигнала с перестройкой частоты Докладчик - доцент каф. ФЭТ - Дроздовский А.В.https://drive.google.com/file/d/1dd8CWK58zwuqa9odkF4kQ9Pb8Ny1AQJI/view?usp=sharing Секция 1 "Детерминированный хаос" 
Исследование параметров синхронизации связанных динамических систем Рёсслер-Лоренц Произведена связь систем уравнений Рёсслера и Лоренца по нескольким переменным. В качестве ведущей системы выступала система Рёсслера, в качестве ведомой - система Лоренца. Произведён расчёт 3 старших показателей Ляпунова для системы уравнений Лоренца, построена зависимость старшего показателя Ляпунова от коэффициента связи. полученные результаты согласуются с литературными источниками.
Совместная жизнь дифференциальных уравнений Лоренца и Рёсслера Методика анализа:
Исследование синхронизации трех связанных динамических систем: Лоренц-Рёсслер-Рёсслер В данной работе рассматривается обобщенная синхронизация трех динамических систем Лоренц-Рёсслер-Рёсслер. Подобраны параметры связи систем, при которых существуют решения всех систем. При этом были найдены 2 варианта. В первом наблюдается слабая синхронизация с сохранением хаотической динамики, а во втором сильная синхронизация. Оценка синхронизации проихводила на основе коэффициентов Ляпунова, рассчитанных по алгоритму Беннетина.
Решение систем дифференциальных уравнений Лоренца дробного порядка Работа посвящена решению систем дифференциальных уравнений Лоренца дробных порядков в среде LabVIEW. В работе приводится сравнение полученных для разных порядков производных решений системы Уравнений Лоренца. Так же в ходе работы был построен график зависимости параметра R от значения дробной производной для критической точки перехода из хаоса в регулярное решение.
Синхронизация уравнений Ресслер-Лоренц-Лоренц В данной работе проведены исследования синхронизации возмущенных уравнений Лоренца в системе уравнений Ресслер-Лоренц-Лоренц. Полученные результаты демонстрируют влияние системы уравнений Ресслера на скорость синхронизации систем уравнений Лоренца при двух различных алгоритмах взаимодействия систем.
Секция 2 "Моделирование приборов твердотельной электроники. Численные методы, граничные условия" 
Моделирование дозиметра гамма-излучения в среде Synopsys Sentaurus TCAD В данной работе приводятся результаты моделирования дозиметров ионизирующего излучения с однослойным и двухслойным полуплавающим затвором. Дозиметр представляет собой n-p-n структуру с двумя полуплавающими затворами. Численное моделирование проводилось в среде Synopsys Sentaurus TCAD. В работе исследована зависимость порогового напряжения от поглощаемой дозы гамма-излучения. Проведена коррекция физических моделей и параметров радиационного излучения.
Верификация цифровых библиотек
Моделирование фотодиода на GaAs в среде Silvaco TCAD Моделируется структура фотодиода из GaAs в среде Silvaco TCAD для монохроматического источника излучения малой мощности.
Моделирование характеристик полевого транзистора на алмазе с дельта легированным бором каналом В работе проводилось моделирование полевого транзистора на алмазе с одиночным дельта-легированным слоем с использованием средств TCAD.
Секция 3 "LabView реализации" 
Полнодуплексная передача голосовых сообщений по протоколу TCP в режиме реального времени
Система мониторинга температуры в среде LabView
Фурье-преобразование изображений в среде LabVIEW
В семинаре 17-го декабря 2019г планируется участие:  Eugen Hollmann, senior scientist, forschungszentrum JULICH.
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Семинар 33. Компьютерные технологии
Иметь гарнитуру или наушники, для исключения шума. При переводе в активную группу категорически запрещается иметь включенным сайт трансляции голоса. Начало семинара в 21_00 по Москве. Требуется быть в сети в 20_30. ВНИМАНИЕ! ССЫЛКА для открытого просмотра по трубе будет тут: Международный семинар от 18 декабря 2018г запись Спасибо за приглашение на семинар. Очень интересные презентации, грамотные студенты. Рад видеть, что работа по FlexPDE, проделанная в 2001-2002 годах, помогает в учебе сегодня. Тема по LabView развивается по интересным направлениям. Алексей Борисович - респект. Вадим Всеволодович, очень крутой семинар, организация на высоте. Анатолий Андреевич Барыбин был замечательным человеком науки, преподавателем. Его заключительное слово на защите моего диплома очень помогло))) Спасибо еще раз! Лосев Сергей Google Analytics Общее число участников семинара составило более 320 человек   П р и г л а ш е н н ы й д о к л а д Устинов Алексей Борисович, д.ф-м.н., профессор кафедры физической электроники и технологии Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета ЛЭТИ им. В.И. Ульянова (Ленина) Использование принципов радиофотоники для передачи и генерации радиосигналов Секция 1 "Моделирование приборов твердотельной электроники. Численные методы, граничные условия"
- вида дефектов; - полярности дефектов; - концентрации дефектов; - размеров дефектов; - месторасположения дефектов. Исследование произведено в среде Synopsys Sentaurus TCAD
Выполнена калибровка модели (проверка модели на адекватность). Исследованы статические характеристики для PIN-диода на GaAs, а также приведено сравнение времени открытия диодов одинаковой топологии на GaAs и Si. Исследовано влияние объемных дефектов и температуры на ВАХ PIN-диода на GaAs. Проведено параметрическое исследование характеристик при отклонении толщины i-слоя и легирования n+,p+ областей.
Моделирование туннельного полевого транзистора на основе графена в среде Synopsys Sentaurus TCAD В работе рассматривается моделирование туннельного транзистора с плоским каналом на основе графена. Канал содержит зазор, заполненный диэлектриком. Туннелирование через этот зазор управляется напряжением на затворе транзистора. По итогам работы были получены ВАХ и распределения носителей зарядов в туннельном транзисторе, исследованы параметры графена и возможность его реализации в Sentaurus TCAD, также исследовались методы туннелирования: Fowler–Nordheim Tunneling и Nonlocal Tunneling Model.
Сравнительный анализ эффективности теплоотвода структур различной геометрии Работа посвящена моделированию разогрева двухфазных структур различной геометрии с использованием граничных условий типа JUMP и CONTACT, выполненного в пакете FlexPDE. Результатом стал сравнительный анализ теплоотвода от контактов различной формы.
на границе интерфейсов оксида/полупроводника на временные характеристики устройства В данной работе по пунктам рассматривается ход создания устройства инвертора с приведенными комментариями, что в дальнейшем может быть использовано в качестве лабораторной работы для студентов 1 курса магистратуры.
Моделирование
структуры, состоящей из двух зон, обладающих различной температурой и
коэффициентами теплопроводности; Получение динамических распределений
температуры и потока энергии внутри структуры
Проведено моделирование никелевого токопроводящего контакта с различными
коэффициентами теплопроводности для разных областей без учета внешнего
источника тепла и в условиях его присутствия. Получены динамические
распределения температуры, потенциала и потока энергии внутри структуры
В работе рассмотрена задача моделирования полевого транзистора Шоттки с граничными условиями второго рода в программном пакете FlexPDE. Построены графики распределения концентрации, потенциала, напряженности поля и плотности тока
Граничные условия между областями заданы в виде функции JUMP. Построены графики распределения температуры и теплового потока для стационарной и нестационарной задач.
Секция 2 "LabView реализации"
Сбор экспериментальных данных электрических параметров (сегнетоэлектриков, диэлектриков и полупроводников) с АЦП фирмы L-Card E14 Разработана программа в LabVIEW для сбора экспериментальных данных с
аналогового входа АЦП (фирмы L-Card) и передачи оцифрованных данных с АЦП на ПК через USB порт, с последующей записью их в файл. Работа выполнялась в ФТИ.
Удаленное управление осциллографом TDS2014B в среде LabVIEW для реализации удаленного доступа к осциллографу TDS2014B. Была создана программа для получения и обработки данных на примере быстрого преобразования Фурье.
с целью уменьшения влияния электромагнитных кондуктивных помех. Моделирование схемотехнической части было проведено в среде Multisim, откуда результаты моделирования с помощью модуля Design & Simulation Toolkit были перенесены в среду Lab View, где происходила симуляция его работы при различных условиях с помощью изменения параметров пассивных электронных компонентов, так и с помощью изменения амплитуды и частоты вносимых помех. П осле это был создан реальный прототип устройства и проведена проверка его параметров с помощью генератора частоты и виртуального осциллографа.
| ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Семинар 32. Компьютерные технологии. Уравнения Лоренца.
ернет - семинар.
Иметь гарнитуру или наушники, для исключения шума. При переводе в активную группу категорически запрещается иметь включенным сайт трансляции голоса. Начало семинара в 21_00 по Москве. Требуется быть в сети в 20_30. Google Analytics  П р и г л а ш е н н ы й д о к л а д Устинов Алексей Борисович, д.ф-м.н., профессор кафедры физической электроники и технологии Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета ЛЭТИ им. В.И. Ульянова (Ленина) Секция 1 "LabView реализации"
Доклад (формат -5 минут) Передача
двоично модулированного хаотического сигнала Программная среда LabVIEW имеет очень широкие возможности, которые позволяют инженеру удобно и быстро разрабатывать собственные проекты с помощью визуального программирования. В этой программной среде можно выполнять не только математическое моделирование различных физических процессов, но и связать программу на LabVIEW с внешними устройствами, для чего имеются специальные возможности. В настоящей работе рассматриваются вопросы передачи цифрового сигнала с помощью динамического хаоса на примере системы Лоренца.
Секция 2 "Моделирование приборов твердотельной электроники. Численные методы, граничные условия"
Доклад (формат -5 минут) Моделирование туннельного BN-G-FET В работе представлено моделирование транзистора BN-G-FET на основе новых наноматериалов – графена и нитрида бора в программном пакете Sentaurus. Метод исследования заключается в построении структуры устройства, а также во внесении основных электрических параметров и свойств новых материалов. Решены проблемы моделирования туннельных токов в структуре, проблемы расходимости задачи при их расчёте, а также получены характеристики структуры в заданном диапазоне напряжений.
Доклад (формат -3 минуты) Граничные
условия второго рода в задаче моделирования полевого транзистора с затвором
Шоттки Сергиенко А.А 
Доклад (формат -3 минуты) Моделирование многофазной структуры с граничными условиями JUMP в пакете FlexPDE Работа посвящена моделированию многофазной структуры с граничными условиями JUMP, проводимое в пакете FlexPDE. Моделировался процесс разогрева двухкомпонентной среды. Результатом стал набор графиков, описывающих распределение температуры и её градиента.
Доклад (формат -3 минуты) Моделирование разогрева контакта в среде FlexPDE В данной работе был рассмотрен металлический контакт из титана. Рассматривается зависимость удельного сопротивления, а, следовательно, и удельной проводимости от температуры, что повлияет на распределение потенциала внутри структуры. В результате были получены динамические распределения температуры и потенциала внутри структуры, а также распределение потока энергии.
Доклад (формат -3 минут) Моделирование контакта с граничными условиями JUMP Моделирование в среде FlexPDE многозонных структур с граничными условиями JUMP.
Доклад (формат -3 минут) Реализация алгоритма построения «Множество Жюлиа» в среде LabView Целью работы является создание программы в среде LabView для генерации «Множество Жюлиа». Задачи: детально разобрать алгоритм получения данного множества и создать виртуальный прибор для генерации алгебраического фрактала. Моделирования сигнала заданной размерности -1.53
Доклад (формат -3 минут) Моделирование
процесса переноса заряда в ПЗС Работа заключается в разработке программы для моделирования процесса переноса заряда из одной потенциальной ямы в другую в программе LabVIEW. Пользователь имеет возможность самостоятельно включать и выключать механизмы переноса и составляющие темнового тока. The aim of the work is to model the process of charge transfer from one potential well to another. The work consists in developing a program for modeling the process of charge transfer from one potential well to another in the LabVIEW program. The user has the ability to independently turn on and off the transfer mechanisms and dark current components.
В семинаре 12-го декабря 2017г планируется участие: Eugen Hollmann, senior scientist, forschungszentrum JULICH.
Требования к участнику семинара: Предоставляемые материалы:
Для исключения "эха " используйте гарнитуру. Шаблон https://www.youtube.com/watch?v=vg42jBVRrmM
| ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Семинар 31. Компьютерные технологии в твердотельной электронике. Численные методы, граничные условия.
нтернет - семинар.
Иметь гарнитуру или наушники, для исключения шума. При переводе в активную группу категорически запрещается иметь включенным сайт трансляции голоса. Начало семинара в 21_30 по Москве. Требуется быть в сети в 21_00. ДОСКА ПОЧЕТА 2016
ВНИМАНИЕ! ССЫЛКА для просмотра по трубе будет тут Международный семинар от 19 декабря 2016г запись: https://www.youtube.com/watch?v=YwuMbfLreOI Cеминар от 12 декабря 2016г запись: https://www.youtube.com/watch?v=GGZ8LOSY2Zw П р и г л а ш е н н ы й д о к л а д Выступление после докладов студентов. научно-образовательный центр нанотехнологий РАН Низкоэнергетические синглетные возбуждения в модели антиферромагнетика Гейзенберга на квадратной решетке со спином-½ Доклады (формат -5 минут) Секция 1 "Моделирование приборов твердотельной электроники. Численные методы, граничные условия"
Вопросы сходимости метода Ньютона-Рафсона в средах с нелинейной поле-скоростной характеристикой Сравниваются два метода решения дифференциальных уравнений в пакете FlexPDE: динамический, т.е. с уравнениями, зависимыми от времени, и статический, т.е. без оных. Для сравнения во FlexPDE было проведено моделирование ПТШ обоими способами. Результаты моделирования показали, что правильный выбор функции изменения динамических переменных приводит лучшей сходимости.
Секция 4 "ANSYS и другие среды"
Моделирование ферритового полоскового циркулятора S-диапазона в программном пакете ANSYS В данной работе было проведено моделирование СВЧ-циркулятора в программном пакете ANSYS. - Выполнен расчет неоднородного поля магнитной системы в ANSYS Maxwell. - В результате были получены и представлены S-параметры прибора
Секция 3 "Управление нестандартными внешними устройствам в среде LabVIew "
Автоматизация стенда измерения параметров СВЧ-модуля Разработанная программа позволяет сократить время измерения на несколько порядков
Секция 2 "Приборно-технологическое моделирование элементов твердотельной электроники в среде Synopsys TCAD" Доклад снят Ярослав Паничев Программируемый PIN диод Секция 1 "Моделирование приборов твердотельной электроники. Численные методы, граничные условия"
Моделирование
полевого транзистора с Х-топологией Применение
Х образной структуры транзистора приводит к эффективному уменьшению длинны
затвора
Граничных условий второго рода в задаче моделирования полевого транзистора с затвором Шоттки В данной работе изучаются особенности задания ГУ в программе FlexPDE.
Граничные
условия для функций с разрывом В работе исследовалось задание граничных условий на контактах. Для этого была изучена функция CONTACT, с помощью которой возможно задать такие разрывные функции, как потенциал и температура.
Секция 2 "Приборно-технологическое моделирование элементов твердотельной электроники в среде Synopsys TCAD"
Моделирование инвертора в среде SYNOPSYS TCAD - элементы синтаксиса Моделирование инвертора на основе двух
МДП-транзисторов в среде Synopsys Sentaurus TCAD с подробным описанием синтаксиса
Секция 3 "Управление нестандартными внешними устройствам в среде LabVIew "
Работа с растровой графикой в среде LabVIEW В курсовой работе была осуществлена регулировка яркости, контрастности и инверсия растрового изображения градации серого цвета. Код программы написанный в среде labVIew позволяет выводить на рабочую панель гистограммы входного и выходного изображения для дальнейшего сравнения и анализа.
Секция 4 "ANSYS и другие среды"
Сравнительный анализ результатов
расчетов в различных программных пакетах на примере моделирования полосового
фильтра на объемных резонаторах
Краткие сообщение (формат -3 минуты) Моделирование эффективной границы в средах MathCAD и FlexPDE В данной работе задача о нахождении эффективной границы решалась с помощью двух программных пакетов: Mathcad и FlexPDE.
ВНИМАНИЕ! Есть трудности голосования с хрома ПОРЯДОК ГОЛОСОВАНИЯ
или Ссылки: Страница опроса: http://www.rupoll.com/thheqylhsp.html Страница результатов опроса: http://www.rupoll.com/thheqylhsr.html В семинаре 19-го декабря 2016г планируется участие:  Eugen Hollmann, senior scientist, forschungszentrum JULICH.
Семинар проводится в рамках учебного курса ЛЭТИ: “Компьютерные технологии и моделирование в электронике” На семинаре присутствовало ... человек. БЛАГОДАРНОСТИ Анну за организацию трансляции семинара. Требования к участнику семинара: Предоставляемые материалы:
Для исключения "эха " используйте гарнитуру. Шаблон
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Семинар 30. Компьютерные технологии в твердотельной электронике
Интернет - семинар.
Технические правила:
Иметь гарнитуру или наушники, для исключения шума. При переводе в активную группу категорически запрещается иметь включенным сайт трансляции голоса. ВНИМАНИЕ! ССЫЛКА для просмотра по трубе будет тут https://www.youtube.com/watch?v=gvGpaf1U_SU Секция 1
"Приборно-технологическое моделирование элементов твердотельной электроники в среде Synopsys TCAD"
Моделирование GaN HEMT в среде Synopsys Sentaurus TCAD
Выступает: студент группы 1201 Куртеев Егор Евгеньевич (Инженер-конструктор ЗАО "Светлана-Электронприбор")
Рецензент: аспирант кафедры КЭОП Васильев Александр (Инженер-конструктор ЗАО "Светлана-Электронприбор")
Приводится описание принципов работы транзистора на основе структур AlGaN/GaN и AlGaN/AlN/GaN.
В работе производится моделирование транзистров в среде Synopsys TCAD, а так же сравнение и анализ полученных данных.
Секция 2
"Управление нестандартными внешними устройствам в среде LabVIew "
Разработка программы в среде LabView,
моделирующей работу вакуумной системы для изготовления изделий микроэлектроники
В работе представлена разработка программы, моделирующей работу вакуумной системы, предназначенной для изготовления изделий микроэлектроники.
Произведено моделирование системы откачки, системы нагрева и магнетронной распылительной системы.
Программа может использоваться в качестве лабораторной для обучения студентов.
Секция 1
"Приборно-технологическое моделирование элементов твердотельной электроники в среде Synopsys TCAD"
МОДЕЛИРОВАНИЕ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА С БУФЕРНЫМ СЛОЕМ
НА ОСНОВЕ РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ AlAs/GaAs В СРЕДЕ Synopsys Sentaurus TCAD
В работе моделировалась структура полевого транзистора с затвором Шоттки в специализированном пакете Synopsys Sentaurus TCAD.
В основе топологии модели лежал реальный GaAs-полевой транзистор с буферным слоем на основе сверхрешетки (AlAs/GaAs)x10.
Секция 1
"Приборно-технологическое моделирование элементов твердотельной электроники в среде Synopsys TCAD"
Cравнительное моделирование MESFET в среде SYNOPSYS TCAD
В работе моделировалась структура MESFET в специализированном пакете Synopsys Sentaurus TCAD.
В основе топологии модели лежал реальный GaAs-полевой транзистор с буферным слоем на основе AlGaAs.
Было проведено сравнение результатов моделирования, используя диффузионно-дрейфовую и гидродинамическую модель, изучено влияние слоя AlGaAs,
построены распределения: концентрации свободных носителей заряда, напряженности электрического поля, потенциала, плотности тока, скорости, а также ВАХ для полупроводниковой структуры.
Секция 1
"Приборно-технологическое моделирование элементов твердотельной электроники в среде Synopsys TCAD"
Моделирование ПТШ с буферным слоем в среде SYNOPSYS SENTAURUS TCAD Выполнено сравнение экспериментальных данных ВАХ с результатами, полученными с помощью SYNOPSYS SENTAURUS TCAD.
Выяснить влияние концентрации слоя ALAS/GaAs на вид характеристик
Краткие сообщения
1. Лабораторная работа: Моделирование pin-диодов в среде synopsys TCAD Смородин Владислав https://drive.google.com/open?id=0BxWAUWOpmvCoMTlhdk9lYkpGWG8
2. Лабораторная работа: Разработка электронных устройств в среде SYNOPSYS SENTAURUS TСAD Щукин Дима https://drive.google.com/file/d/0B8iot9L1FqGoOTR5OXpKekJ0SUk/view
3. Лабораторная работа: Многозатворная ЭНП в среде Synopsys Sentaurus TCAD Паничев Ярослав 4. МОДЕЛИРОВАНИЕ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА ШОТТКИ, СРАВНЕНИЕ С ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫМИ ДАННЫМИ Ирина Александровна Устинова https://yadi.sk/i/gGS6xzzxmFVZZ
В семинаре планируется участие:
Eugen Hollmann, senior scientist, forschungszentrum JULICH.
Семинар проводится в рамках учебного курса ЛЭТИ: “Компьютерные технологии и моделирование в электронике” На семинаре присутствовало 30 человек. БЛАГОДАРНОСТИ Диме Щукину за организацию трансляции семинара.
Требования к участнику семинара:
Предоставляемые материалы:
Для исключения "эха " используйте гарнитуру.
Шаблон
| ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Семинар 29. Лекции
Интернет - семинар.
------------------------------------------------------------------------------------------------------------ Лекция 1 Семинар проводится в рамках учебного курса ЛЭТИ: “Компьютерные технологии и моделирование в электронике” В вторник 3-го ноября 2015 года в 21_30 состоится семинар: Технологии доступа к сетевым ресурсам кафедры ФЭТ Докладчик Чернов А., Попов Д. Присутствовать на семинаре и задавать вопросы можно по ссылке https://www.youtube.com/watch?v=HDI7s5XRsAs. ------------------------------------------------------------------------------------------------------------- Лекция 2 Семинар проводится в рамках учебного курса ЛЭТИ: “Компьютерные технологии и моделирование в электронике” и в рамках следующих проектов ИТМО:
Планируется доклад  Проф. Сташкевич А.А. д.ф.-м.н. Institut Galilée, Université de Paris 13. France: “Наноразмерные магнитные носители информации”. Присутствовать на семинаре и задавать вопросы можно по ссылке https://www.youtube.com/watch?v=HDI7s5XRsAs. Т.е. если Вам не позвонили по техническим причинам по Skype, Вы задаете вопросы и принимаете участие в семинаре оп каналу youtube! Возможно уточнение ссылки в 21_15. УТОЧНЕНИЕ --- https://www.youtube.com/watch?v=zRXYsWrxRso  --  ВНИМАНИЕ!
Семинар записан по адресу http://www.youtube.com/watch?v=zRXYsWrxRso&feature=em-uploademail Первый 52 – и минуты записи - технологические, следовательно семинар следует смотреть с 53-ей минуты . Запись будет актуальна до 16 ноября 2015г. На семинаре присутствовало 50 человек. Лекция 3 В вторник 8-го декабря 2015г в 21_30 проводится интернет семинар Eugen Hollmann, senior scientist, forschungszentrum JULICH. Доклад можно скачать по ссылке: https://drive.google.com/open?id=0ByJ9EHpob0yaZnNYbGs0aEhrX0U Участие в семинаре доступно по следующим технологиям:
Необходимы сообщения буду на этой странице ВНИМАНИЕ! НОВАЯ ССЫЛКА http://www.youtube.com/watch?v=NYtzUkx1FnI Семинар проводится в рамках учебного курса ЛЭТИ: “Компьютерные технологии и моделирование в электронике” На семинаре присутствовало 50 человек. БЛАГОДАРНОСТИ Диме Щукину за организацию трансляции семинара. |
| Приложения:
Seminar Vadim Nov 2015 latest.ppt
Семинар 28. Компьютерные технологии в твердотельной электронике
Интернет - семинар. 21_30. 18-го декабря 2014г.
Отзыв на семинар:
Секция 1
"Приборно-технологическое моделирование элементов твердотельной электроники в среде Synopsys TCAD"
CMOS Image sensor pixel design based on Modified Internal Gate FET
Приглашенный доклад
Моделирование туннельного транзистора на основе графена
В работе рассматривается моделирование туннельного полевого транзистора на основе графена. Получены вольт-амперные характеристики для моделированных структур.
Краткое сообщение
Пьезоэлектрический МЭМС резонатор
Секция 2
" LabVIew реализации"
Притяжение решений систем уравнений Лоренца
В работе рассматриваются две связанные системы нелинейных дифференциальных уравнений,
решениями которых является хаотический сигнал. Одна из этих систем является ведущей, а другая - ведомой,
решение которой "притягивается" к решению ведущей системы.
Исследуется возможность передачи хаотического сигнала в акустическом диапазоне.
Краткое сообщение
Спасибо Байкову Павлу
Благодарности: Чернову Андрею за обеспечение работы вычислительных серверов! В семинаре 18 декабря 2014 планируется участие:
Требования к участнику семинара:
Предоставляемые материалы:
Для исключения "эха " используйте гарнитуру.
Шаблон
| ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Семинар 27. Компьютерные технологии в твердотельной электронике
Интернет - семинар. 21_30. 19-го декабря 2013г.
Отзыв на семинар:
Влияние
шума на притяжение решений систем уравнений Лоренца В работе рассматриваются две связанные системы нелинейных дифференциальных уравнений, решениями которых является хаотический сигнал. Одна из этих систем является ведущей, а другая - ведомой, решение которой "притягивается" к решению ведущей системы. Исследуется влияние помехи на характер "притягивания" решений данных систем уравнений.
Создание многослойных структур методом ионно-плазменного магнетронного распыления. Докладчик:.магистр 2-го курса Александр Марков 8207
Моделирование режима встречного переизлучения мощности для нормальных волн в среде LabView В данной работе была разработана программа в среде LabView, реализующая режим встречного переизлучения мощности для нормальных волн. Данная программа позволяет рассчитать основные параметры данного режима, а также, с учетом введенных параметров, строит пространственное распределение мощностей для различных видов рассогласования.
В работе рассматривается полевой транзистор на ленточном графене. Докладчик:.магистр 1-го курса Денис Бова https://docs.google.com/file/d/0B61qlrZdJkU1czdTakVycGx3VDA/edit (в формате pdf) https://docs.google.com/file/d/0B61qlrZdJkU1SU14UnJfRUJ5Y0k/edit (в формате ppt)
Моделирование режима попутного усиления связанных мод В работе получен макет для получения зависимостей переизлучаемой мощности в режиме попутного усиления связаных мод в условиях однородной связи. Данный режим характерен тремя возможными подрежимами, условием д ля которых является коэффициент фазового рассогласования.
переизлучения для параметрической связи в среде LabVIEW В работе было проведено моделирование режимов попутного усиления и попутного переизлучениядля параметрической связи в среде LabVIEW. Получены распередления мощности в области связи для режимов попутного усиления и попутного переизлучениядля параметрической связи. Докладчик:.магистр 1-го курса 9207 Волынкин С.В.
Дисперсия нормальных волн недиссипативной системы в результате связи двух мод Докладчик:.магистр 1-го курса Шариков И. П., Сcылка на файл в формате PDF: Ссылка на файл в формате pptx: Моделирование режима переизлучения мощности для параметрической связи в среде LabView Докладчик:.магистр 1-го курса.Горохов А. А. Группа 9207 Литературный обзор: "Графен в энергонезависимой памяти" Докладчик:.магистр 1-го курса. Шарипова И.А. Моделирование процессов пищевой промышленности в среде LabView Докладчик:.магистр 1-го курса Самсонова И.И. Требования к участнику семинара: Предоставляемые материалы:
Для исключения "эха " используйте гарнитуру. Шаблон
| ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Семинар 27. Нанотрубки. Графен.Технология. Floating gate memory
Интернет - семинар. 21_30. 8-го октября 2013г.
Технические особенности работы семинара: Создается две скайп-конференции (активная и пассивная). В состав активной входит преподавательский состав, а также первые две группы докладчиков с оппонентами (выбранная по общему решению). В составе пассивной входят все студенты, которые предоставили свои работы на сайте и желающие задать вопрос защищающимся. Голосовая связь постоянно поддерживается только с первой скайп-конференцией (активной). Первые докладчики после ответов на вопросы сами удаляются из активной скайп-конференции и остаются в пассивной. Следующие докладчики будут добавлены Лебедевым Андреем Владимировичем в активную скайп-конференцию из пассивной. Желающие задать вопросы пишут их в чате пассивной скайп-конференции. Удаление из активной скайп-конференции каждый участник выполняет сам лично (нажимаем на вкладку сверху Разговоры->Выйти из разговора). Трансляция звука http://ru.twitch.tv/31it3d 1. Сообщение о работах в director Center for Semionductor Components, State Universoty of Campinas, Brazil. Нанотрубки. Графен.Технология. Floating gate memory. Пост образование. Stanislav Moshkalev, PhD, Vice-. director Center for Semionductor Components, State Universoty of Campinas, Brazil Доклад: https://drive.google.com/folderview?id=0ByJ9EHpob0yaVEFncVg1eXlqOEk&usp=sharing 2. Краткое сообщение о образовании в Франции. Сташкевич А.А. д.ф.-м.н. Institut Galilée, Université de Paris 13. France 3. Краткое сообщение об образовании в Финляндии и работах в области моделирования в среде Synopsys TCAD Vladislav Marochkin, Postgraduate student at Lappeenranta University of Technology, Project Manager R&D at Pixpolar Oy 4. Несколько слов о работе в Германии Марков Александр магистр гр. 8207 |
Семинар 25. Компьютерные технологии в твердотельной электронике
Интернет - семинар. 21_30. 20-го декабря 2012г.
Отзыв на семинар:
Михаил Давидович Парнес, доктор наук, главный инженер ООО "Резонанс" Скайп-конференция это очень интересное начинание, современное.Прослушал несколько докладов.Опыт , получаемый при общении и обсуждении студентами очень важен для их профессионального роста. Ценю труд , который потребовался для организации семинара.
Левицкий Алексей Александрович, к.ф.-м.н., доцент, ФГАОУ "Сибирский федеральный университет" C большим интересом ознакомился с материалами, представленными в рамках Интернет-семинара «Компьютерные технологии в твердотельной электронике». Используемые информационные технологии соответствуют подходам, все шире используемым в научной среде. Тематика работ - от компьютерного моделирования полупроводниковых приборов до задач сопряжения компьютера с микроконтроллерными системами и приборами представляет несомненный интерес. Надеюсь на продолжение работы семинара и планирую в дальнейшем принимать в нем участие . Leo Malkenson - USA Principal engineer, Escher Group, Boston, MA This seminar is a very neat idea and it should definitely be kept up. A well known, though, of course, not trivial, Web technology like Skype was leveraged to bring together bright young and mature scientists from different corners of the world. I was impressed by the sophistication of the presented work. As a computer professional and a former physics major, I was pleased to see the use of the latest computer technology in addition to a very serious experimental work and theoretical analysis. ДОСКА ПОЧЕТА 2012
Технические особенности работы семинара:
Создается две скайп-конференции (активная и пассивная). В состав активной входит преподавательский состав, а также первые две группы докладчиков с оппонентами (выбранная по общему решению). В составе пассивной входят все студенты, которые предоставили свои работы на сайте и желающие задать вопрос защищающимся. Голосовая связь постоянно поддерживается только с первой скайп-конференцией (активной). Первые докладчики после ответов на вопросы сами удаляются из активной скайп-конференции и остаются в пассивной. Следующие докладчики будут добавлены Лебедевым Андреем Владимировичем в активную скайп-конференцию из пассивной. Желающие задать вопросы пишут их в чате пассивной скайп-конференции.
Удаление из активной скайп-конференции каждый участник выполняет сам лично (нажимаем на вкладку сверху Разговоры->Выйти из разговора). Трансляция звука https://sites.google.com/site/fet5486/chat
"Приборно-технологическое моделирование элементов твердотельной электроники в среде Synopsys TCAD"
Моделирование инвертора в среде Synopsys Sentaurus TCAD
В
данной работе схема CMOS инвертора моделировалась на базе nCMOS и pCMOS транзисторов.
Расчеты инвертора получены в результате описания в программе расчета для Sentaurus TCAD. Получены переходные характеристики инвертора. Вольт-амперные
характеристики nCMOS транзистора.
Секция 2
"Управление нестандартными внешними устройствам в среде LabVIew "
"Управление микроконтроллером в среде LabVIEW"
В работе рассматривается способ управления внешним устройством в среде LabVIEW. Реализовано управление шаговым двигателем с помощью специально изготовленного драйвера, созданного на базе микросхемы LB1649, и микроконтроллера AVR ATMega328P, подключённого к ПК с помощью переходника USB-COM на основе микросхемы FT232RL. Использование микроконтроллера позволило упростить алгоритм программы на стороне LabView.
Секция 3
"Моделирование приборов твердотельной электроники в среде FlexPDE"
Моделирование полевого транзистора с буферным слоем в среде FlexPDE
В работе рассматривается задача моделирования полевого транзистора Шоттки с буферным слоем в среде FLexPDE с затвором углублённым в активный слой. Исследуется влияние длины затвора на распределение концентрации и потенциала в транзисторе
Секция 1
"Приборно-технологическое моделирование элементов твердотельной электроники в среде Synopsys TCAD"
Моделирование MESFET с буферным слоем в среде SYNOPSYS SENTAURUS TCAD
Исследование зависимости вольт-амперной характеристики полевого транзистора Шоттки от свойств буферного слоя
В работе исследуется зависимость ВАХ ПТШ от концентрации свободных носителей заряда в буферном слое. На основе исследованной литературы была составлена топология максимально приближенная к реальной. Размер затвора 0,5 мкм, толщина буферного слоя 1мкм, активной области 400нм. В процессе моделирования исследованы два ПТШ с разными толщинами буферного слоя. Наблюдается рост ВАХ при увеличении концентрации свободных носителей заряда в буферном слое. Рост имеет пороговый характер: значительное увеличение происходит после n =1 ∙ 10 15 см -3 . Эффект наблюдается в обоих исследованных структурах.
"Моделирование полевого транзистора Шоттки в среде SYNOPSYS SENTAURUS T-CAD"
Исследование влияния концентрации свободных носителей заряда в буферном слое на вольтамперную характеристику ПТШ
Секция 2
"Управление нестандартными внешними устройствам в среде LabVIew "
"Автоматизации измерений параметров радиоимпульса"
В докладе рассмотрена возможность измерения параметров радиоимпульса с применением технологии удаленного доступа реализованного в среде LabVIew.
Программа считывает радиоимпульс через специализированный осциллограф и производит расчет параметров считанного радиоимпульса.
"Определение собственных акустических мод замкнутого цилиндрического резонатора"
Для исследования собственных акустических мод замкнутого цилиндрического резонатора использовались микрофон и динамик, подключенные к компьютеру. В программе LabView 8.6 разработана программа воспроизведения звука заданной частоты и обработка принимаемого микрофоном сигнала. Исследовалась зависимость частоты собственных мод от температуры.
"Работа с web камерой в среде LabView - учебный фильм"
В докладе рассмотрен алгоритм подключения Web камеры в среде LabVIew c
последующей простейшей обработкой изображения. Рассмотренный элемент системы машинного зрения
может применяться для бесконтактного измерения геометрических размеров, контроля и идентификации
изделий, диагностики и контроля монтажа элементов печатной платы.
"Детектирование изменений границ объектов в среде LabView"
В данной работе рассмотрен алгоритм детектора движения реализованный в среде Labview. Детектирование движения происходит сравнением 2-х контуров изображений, поступающих с веб – камеры в режиме реального времени. Для построения контуров использован оператор Кэнни, который позволяет исключить влияние смены освещенности. Алгоритм работы оператора "Кэнни" основан в формировании контура границы из точек максимума градиента изображения.
Организация связи между компьютером и микроконтроллером в среде LabView
В работе осуществлено управление периферией и обмен данными между микроконтроллером AVR ATmega8 и ПК, при помощи пакета LabView. Связь между ПК и микроконтроллером осуществлена по стандарту RS-232, через последовательный COM порт. В курсовой работе отслеживалась температура и строился её график. При повышении температуры заданного значения, производилась информирование пользователя, то есть, реализован простой пропорциональный регулятор. Программа может применяться в системах автоматизированного управлении.
"Модуль управления пикоамперметром фирмы Keithley. Изучения вольт-амперных характеристик мощных синих светодиодов на основе InGaN/GaN"
"Распознавание образов в среде LabView. Измерение параметров прямоугольника с внешнего JPEG-изображения"
Выделение полезного сигнала на фоне структуроподобной помехи
The selection of the desired signal to background noise with spur interference
Исследуется способность фильтрации очень близких сигналов.
Секция 3
"Моделирование приборов твердотельной электроники в среде FlexPDE"
Исследование скорости сходимости в задаче моделирования MESFET
Проведено исследование скорости сходимости в задаче моделирования полевого транзистора шотки
в специализированной среде FlexPDЕ для версии программы «FlexPDE 5. 1. 0s Student Version»
с использованием уравнений Пуассона и непрерывности. Выяснена причина возникновения всплесков
напряженности при правильных граничных условиях и возможности
уменьшения всплесков.
Расчет эффективной границы: обедненная область - канал полевого транзистора Шотки
В работе рассмотрено влияние полескоростной характеристики кремния при
расчете эффективной границы: обедненная область - канал полевого транзистора Шотки.Вычисления распределения концентрации произведено в среде FLEXPDE, положение эффективной границы определено в среде MatCAD.
Моделирование ПТШ с буферным слоем в среде FlexPDE
В работе рассматривается задача моделирования многослойной структуры ПТШ с буферным слоем в среде FlexPDE. Был сделан ряд приближений и получены распределение потенциала, концентрации и напряженности поля в пределах построенной структуры.
"Моделирование полевого транзистора с буферным слоем и
углубленным затвором в среде FlexPDE"
Затвор ПТШ углублён в активный слой.
В семинаре 20 декабря 2012 планируется участие:
Требования к участнику семинара:
Предоставляемые материалы:
Для исключения "эха " используйте гарнитуру.
Шаблон
| ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
. Лебедев А. 
Терентьева В.
Свистунов А.
Яковлев В.
Архипов С.
C наступающим новым 2013 годом!!!
Архипов Сергей Владимирович
Дворецкий Никита
Богданов Василий
Басков Алексей
Можаев Е.В.
Жаботинский А.В.
Степанов В,А,
Терентьева Валентина Николаевна
Андрей Одинец 
Свистунов А.Н.
Дмитрий Скворцов
Лебедев А.В. 
Седельников В.В.
Яковлев В.Г
Плешков Д
Ефимов Юрий Витальевич 8294
Рогожин К.В
Сокура Лилия - оппонент
БУЙ М.Туан. 
Суербаева Н.Р.
Ермаков С.Д.
Горицков Пётр Никитич
1-10 of 37