Интернет - семинар.
Технические правила:
Иметь гарнитуру или наушники, для исключения шума. При переводе в активную группу категорически запрещается иметь включенным сайт трансляции голоса. ВНИМАНИЕ! ССЫЛКА для просмотра по трубе будет тут https://www.youtube.com/watch?v=gvGpaf1U_SU Секция 1
"Приборно-технологическое моделирование элементов твердотельной электроники в среде Synopsys TCAD"
Моделирование GaN HEMT в среде Synopsys Sentaurus TCAD
Выступает: студент группы 1201 Куртеев Егор Евгеньевич (Инженер-конструктор ЗАО "Светлана-Электронприбор")
Рецензент: аспирант кафедры КЭОП Васильев Александр (Инженер-конструктор ЗАО "Светлана-Электронприбор")
Приводится описание принципов работы транзистора на основе структур AlGaN/GaN и AlGaN/AlN/GaN.
В работе производится моделирование транзистров в среде Synopsys TCAD, а так же сравнение и анализ полученных данных.
Секция 2
"Управление нестандартными внешними устройствам в среде LabVIew "
Разработка программы в среде LabView,
моделирующей работу вакуумной системы для изготовления изделий микроэлектроники
В работе представлена разработка программы, моделирующей работу вакуумной системы, предназначенной для изготовления изделий микроэлектроники.
Произведено моделирование системы откачки, системы нагрева и магнетронной распылительной системы.
Программа может использоваться в качестве лабораторной для обучения студентов.
Секция 1
"Приборно-технологическое моделирование элементов твердотельной электроники в среде Synopsys TCAD"
МОДЕЛИРОВАНИЕ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА С БУФЕРНЫМ СЛОЕМ
НА ОСНОВЕ РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ AlAs/GaAs В СРЕДЕ Synopsys Sentaurus TCAD
В работе моделировалась структура полевого транзистора с затвором Шоттки в специализированном пакете Synopsys Sentaurus TCAD.
В основе топологии модели лежал реальный GaAs-полевой транзистор с буферным слоем на основе сверхрешетки (AlAs/GaAs)x10.
Секция 1
"Приборно-технологическое моделирование элементов твердотельной электроники в среде Synopsys TCAD"
Cравнительное моделирование MESFET в среде SYNOPSYS TCAD
В работе моделировалась структура MESFET в специализированном пакете Synopsys Sentaurus TCAD.
В основе топологии модели лежал реальный GaAs-полевой транзистор с буферным слоем на основе AlGaAs.
Было проведено сравнение результатов моделирования, используя диффузионно-дрейфовую и гидродинамическую модель, изучено влияние слоя AlGaAs,
построены распределения: концентрации свободных носителей заряда, напряженности электрического поля, потенциала, плотности тока, скорости, а также ВАХ для полупроводниковой структуры.
Секция 1
"Приборно-технологическое моделирование элементов твердотельной электроники в среде Synopsys TCAD"
Моделирование ПТШ с буферным слоем в среде SYNOPSYS SENTAURUS TCAD Выполнено сравнение экспериментальных данных ВАХ с результатами, полученными с помощью SYNOPSYS SENTAURUS TCAD.
Выяснить влияние концентрации слоя ALAS/GaAs на вид характеристик
Краткие сообщения
1. Лабораторная работа: Моделирование pin-диодов в среде synopsys TCAD Смородин Владислав https://drive.google.com/open?id=0BxWAUWOpmvCoMTlhdk9lYkpGWG8
2. Лабораторная работа: Разработка электронных устройств в среде SYNOPSYS SENTAURUS TСAD Щукин Дима https://drive.google.com/file/d/0B8iot9L1FqGoOTR5OXpKekJ0SUk/view
3. Лабораторная работа: Многозатворная ЭНП в среде Synopsys Sentaurus TCAD Паничев Ярослав 4. МОДЕЛИРОВАНИЕ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА ШОТТКИ, СРАВНЕНИЕ С ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫМИ ДАННЫМИ Ирина Александровна Устинова https://yadi.sk/i/gGS6xzzxmFVZZ
В семинаре планируется участие:
 Eugen Hollmann, senior scientist, forschungszentrum JULICH.
Семинар проводится в рамках учебного курса ЛЭТИ: “Компьютерные технологии и моделирование в электронике” На семинаре присутствовало 30 человек. БЛАГОДАРНОСТИ Диме Щукину за организацию трансляции семинара.
Требования к участнику семинара:
Предоставляемые материалы:
Для исключения "эха " используйте гарнитуру.
Шаблон
| ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Online Seminar > Темы семинара >
