Иметь гарнитуру или наушники, для исключения шума. При переводе в активную группу категорически запрещается иметь включенным сайт трансляции голоса. Начало семинара в 21_00 по Москве. Требуется быть в сети в 20_30. ВНИМАНИЕ! ССЫЛКА для открытого просмотра по трубе будет тут: Международный семинар от 18 декабря 2018г запись Спасибо за приглашение на семинар. Очень интересные презентации, грамотные студенты. Рад видеть, что работа по FlexPDE, проделанная в 2001-2002 годах, помогает в учебе сегодня. Тема по LabView развивается по интересным направлениям. Алексей Борисович - респект. Вадим Всеволодович, очень крутой семинар, организация на высоте. Анатолий Андреевич Барыбин был замечательным человеком науки, преподавателем. Его заключительное слово на защите моего диплома очень помогло))) Спасибо еще раз! Лосев Сергей Google Analytics Общее число участников семинара составило более 320 человек   П р и г л а ш е н н ы й д о к л а д Устинов Алексей Борисович, д.ф-м.н., профессор кафедры физической электроники и технологии Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета ЛЭТИ им. В.И. Ульянова (Ленина) Использование принципов радиофотоники для передачи и генерации радиосигналов Секция 1 "Моделирование приборов твердотельной электроники. Численные методы, граничные условия"
- вида дефектов; - полярности дефектов; - концентрации дефектов; - размеров дефектов; - месторасположения дефектов. Исследование произведено в среде Synopsys Sentaurus TCAD
Выполнена калибровка модели (проверка модели на адекватность). Исследованы статические характеристики для PIN-диода на GaAs, а также приведено сравнение времени открытия диодов одинаковой топологии на GaAs и Si. Исследовано влияние объемных дефектов и температуры на ВАХ PIN-диода на GaAs. Проведено параметрическое исследование характеристик при отклонении толщины i-слоя и легирования n+,p+ областей.
Моделирование туннельного полевого транзистора на основе графена в среде Synopsys Sentaurus TCAD В работе рассматривается моделирование туннельного транзистора с плоским каналом на основе графена. Канал содержит зазор, заполненный диэлектриком. Туннелирование через этот зазор управляется напряжением на затворе транзистора. По итогам работы были получены ВАХ и распределения носителей зарядов в туннельном транзисторе, исследованы параметры графена и возможность его реализации в Sentaurus TCAD, также исследовались методы туннелирования: Fowler–Nordheim Tunneling и Nonlocal Tunneling Model.
Сравнительный анализ эффективности теплоотвода структур различной геометрии Работа посвящена моделированию разогрева двухфазных структур различной геометрии с использованием граничных условий типа JUMP и CONTACT, выполненного в пакете FlexPDE. Результатом стал сравнительный анализ теплоотвода от контактов различной формы.
на границе интерфейсов оксида/полупроводника на временные характеристики устройства В данной работе по пунктам рассматривается ход создания устройства инвертора с приведенными комментариями, что в дальнейшем может быть использовано в качестве лабораторной работы для студентов 1 курса магистратуры.
Моделирование
структуры, состоящей из двух зон, обладающих различной температурой и
коэффициентами теплопроводности; Получение динамических распределений
температуры и потока энергии внутри структуры
Проведено моделирование никелевого токопроводящего контакта с различными
коэффициентами теплопроводности для разных областей без учета внешнего
источника тепла и в условиях его присутствия. Получены динамические
распределения температуры, потенциала и потока энергии внутри структуры
В работе рассмотрена задача моделирования полевого транзистора Шоттки с граничными условиями второго рода в программном пакете FlexPDE. Построены графики распределения концентрации, потенциала, напряженности поля и плотности тока
Граничные условия между областями заданы в виде функции JUMP. Построены графики распределения температуры и теплового потока для стационарной и нестационарной задач.
Секция 2 "LabView реализации"
Сбор экспериментальных данных электрических параметров (сегнетоэлектриков, диэлектриков и полупроводников) с АЦП фирмы L-Card E14 Разработана программа в LabVIEW для сбора экспериментальных данных с
аналогового входа АЦП (фирмы L-Card) и передачи оцифрованных данных с АЦП на ПК через USB порт, с последующей записью их в файл. Работа выполнялась в ФТИ.
Удаленное управление осциллографом TDS2014B в среде LabVIEW для реализации удаленного доступа к осциллографу TDS2014B. Была создана программа для получения и обработки данных на примере быстрого преобразования Фурье.
с целью уменьшения влияния электромагнитных кондуктивных помех. Моделирование схемотехнической части было проведено в среде Multisim, откуда результаты моделирования с помощью модуля Design & Simulation Toolkit были перенесены в среду Lab View, где происходила симуляция его работы при различных условиях с помощью изменения параметров пассивных электронных компонентов, так и с помощью изменения амплитуды и частоты вносимых помех. П осле это был создан реальный прототип устройства и проведена проверка его параметров с помощью генератора частоты и виртуального осциллографа.
| ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Online Seminar > Темы семинара >
