Вопросы к лекции 7 (0-6)

1. Записать граничные условия для концентрации и потенциала  на истоковом и стоковом контакте.

2.  Записать  граничные условия для концентрации и потенциала  на затворах полупроводниковой структуры.

3. Записать граничные условия для концентрации и потенциала  на свободной поверхности полупроводниковой структуры.

4. Записать  конечно-разностное представление второй производной. Записать конечно разностное представление производной n-го порядка. Объяснить возможность дробного значения показателя производной.

5. Записать выражение для дробного интеграла. Записать  последовательность действий при вычислении производно порядка 0.5 от функции f(x).

6. (Дополнительно) Указать возможные причины расходимости при моделировании много затворного транзистора. Указать способы устранения расходимости.

 

 

Задание на  лабораторную работу 3. Тема 2 (FlexPDE)

 

Лабораторная работа выполняется  согласно описанию, опубликованному на сайте google.1024.ru c некоторыми изменениями.

1. Форма полупроводникового образца   имеет  6 вариантов (в описании на сайте google.1024.ru приводиться только одна форма образца).  Для моделирования следует предложить студентом один из вариантов структуры обозначенный буквами A-F.

2. Напряжение на истоке - 0В.

3. Напряжение на стоке  10В

4. Напряжения на затворах выбрать следующие:

Вар 1.   

Gate 1   -1В,

Gate 2   -2В

Gate 3   -3В

Gate 4   -4В

Вар 2.   

Gate 1   -4В,

Gate 2   -3В

Gate 3   -2В

Gate 4   -1В

 Вар 3.   

Gate 1   -1В,

Gate 2   -2В

Gate 3   -4В

Gate 4   -3В

Вар 4.   

Gate 1   -1В,

Gate 2   -2В

Gate 3   -1В

Gate 4   -3В

 

Геометрические размеры структуры подобрать самостоятельно из соображений сходимости задачи.   В результате моделирования должны получаться обедненные области под затворами и омичность   истоковой стоковой областей. В результате моделирования необходимо получить распределение концентрации, потенциала и напряженности поля.

 

Таким образом,   задание студентам состоит из буквы определяющей топологию и цифры - определяющей напряжения на затворах. Пример A4 - топология рисунка А и напряжения согласно варианта 4.

 

Критерием правильности результатов моделирования может служить:

1. Значение концентрации  = 1 под истоковым и стоковым контактом.

2. Отсутствие значительных выбросов напряженности и концентрации.

 

Бонусы!

1. При использовании поле-скоростной  характеристики кремния  работа оценивает до 20 баллов.

2. При использовании закруглений на образце и поле- скоростной  характеристики кремния  работа оценивает до 25 баллов.

3. Доклад данной работы на интернет семинаре добавляет еще 10 баллов.