Приборно-технологическое моделирование в среде Sentaurus TCAD Тема: Приборно-технологическое моделирование в среде TCAD Synopsys. Организация доступа. Лабораторная 1 1. Организация вычислительной сети для работы в среде TCAD Synopsys. Способы доступа к среде TCAD Synopsys
2. Правила подключения по VNC, излагаются на форуме сайта google.1024.ru Компьютеры для работы: 10.134.0.165:1, 10.134.0.165:2, 10.134.0.165:3, 10.134.0.165:4, 10.134.0.165:5 пароль спросить на занятиях 3. Правила подключения по VPN, излагаются на форуме сайта google.1024.ru 4. Постановка задачи лабораторной Лабораторная 1 из серии "Технология": " Лабораторная работа №1 Выращивание слоя SiO2 в сухом O2 на кремнии".
Контрольные вопросы
Описание лабораторной предполагает знание основ работы с пакетом TCAD Synopsys. Для тех студентов, кто не уверен в своих знаниях в TCAD Synopsys, выполнить лабораторную работу из серии "Приборы". Лабораторная 1 из серии "Приборы": "Лабораторная работа 1 МОДЕЛИРОВАНИЕ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА ШОТКИ В РАМКАХ ДИФФУЗИОННО-ДРЕЙФОВОЙ МОДЕЛИ"
Контрольные вопросы
Тексты лабораторных работ выложены на форуме. Энергонезависимая память Литература учебные пособия - нужно взять в библиотеке Перепеловский, Михайлов, Марочкин 1. Разработка электронных устройств в среде synopsys Sentaurus TCAD 2. Введение в приборно-технологическое моделирование устройств микроэлектроникиТо чем мы будем заниматься -----> http://solidstate.karelia.ru/~ivash/MOPT_b/texts/glava4_1.html http://ru.wikipedia.org/wiki/Flash-%D0%BF%D0%B0%D0%BC%D1%8F%D1%82%D1%8C http://www.belsis.ru/useful/obzory_i_stati/flash-memory.html http://kit-e.ru/articles/memory/2004_4_66.php http://www.ixbt.com/news/hard/index.shtml?15/12/00 http://storagenews.ru/52/AVRORAID_SSD_52.pdf http://kit-e.ru/articles/memory/2007_09_76.php |
Студентам >