Synopsys

Приборно-технологическое моделирование  в среде Sentaurus TCAD



Тема:  Приборно-технологическое моделирование  в среде TCAD Synopsys. Организация доступа. Лабораторная 1

1. Организация вычислительной сети для работы в среде TCAD Synopsys.

Способы  доступа к  среде TCAD Synopsys

  •                 VPN  - удаленный доступ
  •                 VNC -  доступ по локальной сети
  •                 Виртуальная машина "Линукс"  - работа на локально компьютере.

 2. Правила подключения по VNC,  излагаются на форуме сайта google.1024.ru

Компьютеры для работы:

10.134.0.165:1, 10.134.0.165:2, 10.134.0.165:3, 10.134.0.165:4, 10.134.0.165:5

пароль спросить на занятиях

 3. Правила подключения по VPN,  излагаются на форуме сайта google.1024.ru

 4. Постановка задачи лабораторной

Лабораторная 1 из серии "Технология":

" Лабораторная работа №1 Выращивание слоя SiO2 в сухом O2 на кремнии".

 

Контрольные вопросы

  1. Назовите программы, используемые в данной работе, и их назначение.
  2. С помощью какой команды задаѐтся сетка?
  3. Как влияет концентрация примеси на процесс окисления?
  4. Какие параметры влияют на толщину оксида?
  5. Как зависит толщина оксида от температуры?

 

Описание лабораторной предполагает знание основ работы с пакетом TCAD Synopsys.

Для тех студентов, кто  не уверен в своих знаниях в TCAD Synopsys,  выполнить лабораторную работу из серии "Приборы".

Лабораторная 1 из серии "Приборы":

 "Лабораторная работа 1 МОДЕЛИРОВАНИЕ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА ШОТКИ В РАМКАХ ДИФФУЗИОННО-ДРЕЙФОВОЙ МОДЕЛИ"

 

Контрольные вопросы

 

  1. Назовите программы, используемые в данной работе, и их назначение.
  2. Покажите, каким образом задаются начальные и конечные значения напряжений на контактах при расчѐте топологии прибора.
  3. Опишите основные элементы конструкции ПТШ на GaAs.
  4. Какие основные модели используются при расчѐте топологии прибора?
  5. Приведите график полескоростной характеристики для GaAs.
  6. От чего зависит ток стока в ПТШ (ВАХ)?
  7. Приведите алгоритм работы с пакетом Sentaurus TCAD.
  8. Как зависит подвижность носителей заряда от концентрации примесей?
  9. Что такое контактная разность потенциалов?
  10. Приведите значения полей, при которых скорость линейно зависит от  напряжѐнности поля.

 

 

Тексты лабораторных работ выложены на форуме.


Энергонезависимая память
Литература

учебные пособия - нужно взять в библиотеке

Перепеловский, Михайлов, Марочкин

1. Разработка электронных устройств в среде synopsys Sentaurus TCAD
2. Введение в приборно-технологическое моделирование устройств микроэлектроникиТо чем мы будем заниматься -----> http://solidstate.karelia.ru/~ivash/MOPT_b/texts/glava4_1.html

http://ru.wikipedia.org/wiki/Flash-%D0%BF%D0%B0%D0%BC%D1%8F%D1%82%D1%8C
http://www.belsis.ru/useful/obzory_i_stati/flash-memory.html
http://kit-e.ru/articles/memory/2004_4_66.php
http://www.ixbt.com/news/hard/index.shtml?15/12/00
http://storagenews.ru/52/AVRORAID_SSD_52.pdf
http://kit-e.ru/articles/memory/2007_09_76.php